• 중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 올해 1분기 매출이 508억 위안(약 11조 1000억 원)으로 전년 동기 대비 719% 급증했음

• 순이익은 1268% 늘어난 330억 위안을 기록했으며, 모회사 귀속 순이익은 247억 6200만 위안(약 5조 4000억 원)으로 1688.3% 늘어났음

• 상반기 매출 전망치도 1100억~1200억 위안으로 제시하는 등 고성장세가 이어질 것으로 예상

• 이 같은 실적의 배경에는 AI 붐으로 인한 범용 D램 가격 급등과 가격 하락기에 미리 쌓아둔 280억 위안 규모의 재고 전략이 있었음

• 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 1분기에만 약 두 배 상승하였고, 2분기에도 최대 60% 추가 상승 가능성이 제기됨

• 창신메모리는 한국 제품 대비 15~20% 저렴한 가격을 앞세워 범용 D램 시장 점유율을 7.67%까지 끌어올려 세계 4위에 올라섰음

• HP·델이 품질 테스트를 진행 중인 가운데, 삼성전자·SK하이닉스의 핵심 수익원인 범용 D램 시장을 빠르게 잠식하고 있어 국내 반도체 업계의 긴장감이 높아지고 있음

• 한편 창신메모리는 ‘중국판 나스닥’으로 불리는 과학기술혁신판(커촹반) 상장을 재추진하고 있음

• 상하이증권거래소가 서류 보완을 확인한 후 심사를 재개할 것으로 전망되며, 이르면 올 상반기 내 상장 절차가 완료될 것으로 예상됨

• 이번 IPO를 통해 창신메모리는 최소 295억 위안(약 6조 5000억 원)을 조달하고, 기존 자체 자금과 합산해 총 7조 원 이상의 재원을 확보할 계획입니다. 기업가치 목표는 최대 3000억 위안으로, 달성 시 중국 반도체 업계 시총 2위에 오르게 되었음

• 중국의 대표 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT·창신메모리)의 올해 1분기 매출이 지난해 같은 기간보다 8배 이상 급증

• 인공지능(AI) 붐에 힘입어 글로벌 메모리 업체들의 ‘실적 잔치’가 이어지는 가운데 미국의 견제 속에서도 중국이 국가 주도로 추진한 반도체 자립 전략이 상당한 성과를 내고 있다는 평가가 나옴

• 여기에 공격적인 증설과 가격 경쟁력까지 앞세운 창신메모리가 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사를 빠르게 추격하고 있다는 분석도 제기

• 창신메모리는 지난해 연간 기준 첫 흑자를 달성하자마자 올해 1분기 지난해 연간 이익의 13배를 벌어들인 셈

• 창신메모리는 이 같은 성장세가 더 이어질 것임을 시사

• 올 상반기 매출 전망치로 전년 동기 대비 612.53~677.31% 증가한 1100억~1200억 위안을 제시

• 순이익 전망치 역시 500억~570억 위안으로 성장률이 2244~2544%에 달할 것으로 내다봤음

• 2016년 중국 정부 지원 아래 설립된 창신메모리는 삼성전자·SK하이닉스 등이 장악해온 글로벌 D램 시장에서 중국의 자립 전략을 이끄는 핵심 기업으로 꼽힘

• 삼성전자와 SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 주도하고 있지만 창신메모리는 그보다 뒤처진 HBM3 양산 목표 시점을 올해로 제시하는 등 기술 격차는 여전함

• 하지만 최근 DDR5 제품을 출하하며 글로벌 상위 업체가 신경을 덜 쓰던 범용 D램 시장에서 활동 반경을 넓혀가고 있음

• 한국 제품보다 15~20% 저렴한 가격과 내수 공급망이 기반

• 특히 글로벌 기술 기업들의 AI 투자 확대에 따라 고성능 메모리 수요가 폭증했고 범용 D램 가격까지 동반 상승하면서 창신메모리가 수혜를 입었다는 설명

• 실제 시장조사 업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 올해 1분기 약 두 배 뛰었으며 2분기에도 최대 60% 추가 상승 가능성이 제기된다. 블룸버그는 “AI 데이터센터가 대규모 첨단 메모리를 필요로 하면서 그 여파가 메모리 시장 전반으로 확산되고 범용 D램도 가격 급등세가 이어지고 있다”고 설명

• 이번 실적을 계기로 창신메모리의 재고 전략도 재차 주목받고 있다. 대만 매체 디지타임스에 따르면 창신메모리는 시장이 상승 사이클에 진입하기 전 가격 하락기에 생산해둔 약 280억 위안 규모의 D램 재고를 보유하고 있었음

• 이후 메모리 가격이 급등하자 해당 재고를 높은 가격에 판매하면서 수익성과 현금 흐름이 동시에 개선됐다는 설명

• 여기에 DDR5 등 고부가가치 제품 출하 확대까지 맞물리며 실적 개선 속도가 빨라졌음

• 국내 반도체 업계도 창신메모리의 동향을 예의 주시하고 있음. 창신메모리가 아직 HBM과 같은 최첨단 시장에서는 존재감이 제한적이지만 삼성전자와 SK하이닉스의 핵심 현금창출원인 범용 D램 시장을 빠르게 잠식하고 있기 때문이

• 옴디아데이터에 따르면 지난해 4분기 D램 판매액 기준 창신메모리의 시장 점유율은 7.67%로 늘어 세계 4위를 차지했음. 종전 약 5%대에서 상승한 수치

• 글로벌 업체들이 저렴한 중국산 칩을 주목하는 모습도 위협. 휴렛팩커드(HP)와 델은 현재 창신메모리의 D램에 대한 품질 테스트를 진행 중인 것으로 알려짐. 이 같은 상황에서 향후 중국 업체들의 저가 공세가 본격화할 경우 한국 기업들이 가격 경쟁 압박에 직면하고 수익성이 악화될 가능성이 있다는 우려가 제기

• 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 블룸버그TV와 인터뷰에서 AI칩 H200과 관련해 “중국 정부가 자국 시장을 어느 정도까지 보호할지 결정해야 한다”며 “시간이 지나면 시장이 개방될 것이라는 게 내 판단”이라고 말했음. 현재 중국 정부의 자체 규제로 중국 기업들이 H200 칩 구매에 어려움을 겪고 있지만 향후 상황이 개선될 수 있다는 낙관적인 전망을 드러낸 것임

• 창신메모리의 성장은 단순한 외형 확장을 넘어 실질적인 상업적 임계점을 넘었음을 명확히 입증하고 있음

• 2016년 중국 정부의 전폭적인 국가 자립 전략 지원 하에 설립된 창신메모리는 약 10년간의 적자 누적 구조를 극복하고 2025년 연간 기준 첫 흑자를 기록한 데 이어, 2026년 1분기에는 매출 508억 위안(약 11조 1,000억 원)을 달성하여 전년 동기 대비 719.13%라는 기록적인 성장률을 나타냈음

• 지배주주 귀속 순이익 또한 247억 6,200만 위안(약 5조 4,000억 원)으로 전년 동기 16억 위안 적자 대비 1688.3% 폭증하였음

• 이러한 폭발적인 재무적 턴어라운드는 글로벌 D램 공급 부족에 따른 단가 상승과 함께 창신메모리가 제품 포트폴리오를 DDR5 및 LPDDR5X 등 고성능 제품으로 성공적으로 확장했기 때문

• 중국 국가개발개혁위원회(NDRC) 가격모니터링센터 자료에 따르면, 2025년 9월부터 2026년 1월 사이에만 주류 D램 가격이 약 83% 폭등하며 가격결정권이 공급자 우위로 돌아섰음

• 이에 발맞춰 창신메모리는 상하이 증권거래소 커창판(STAR Market) 기업공개(IPO)를 본격 청구하여 약 295억 위안(약 40억 달러)에 달하는 신규 자금 조달을 추진하고 있으며, 해당 자금을 전액 차세대 생산라인 개조와 고난도 D램 연구개발(R&D)에 집중 배정함으로써 한중 간 기술 격차를 강박적으로 단축하겠다는 복안을 구체화하고 있음

• 그간 업계 전문가들 사이에서는 창신메모리의 물리적인 미세공정 기술력 낙후를 근거로, 범용 D램이라 할지라도 삼성전자와 SK하이닉스의 캐시카우를 위협하기는 어려울 것이라는 낙관적 판단이 주를 이루었음

• 그러나 범용 메모리 시장의 수급 역학 관계를 면밀히 들여다보면, 중국의 실용주의적 접근이 국내 선두 제조사에 미치는 위협은 매우 실질적이며 직접적임이 규명

• 첫째, 선두 업체들의 극단적인 '고대역폭메모리(HBM) 쏠림' 현상이 자초한 일반 D램 공급 공백이 중국 기업들에 최적의 회랑을 열어주었음

• 삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아 등 글로벌 테크 기업들의 AI 수요를 맞추기 위해 일반 D램 생산라인의 청정실(Clean Room) 공간과 웨이퍼 투입 슬롯을 축소하고 HBM 제조에 역량을 고도로 집중하면서, 전 세계적으로 극심한 'DDR5 공급 절벽'이 발생하였음

• AI 전용 메모리의 수급 불균형이 범용 시장의 가격 급등을 유도하자, 범용 위주로 라인을 운영하던 창신메모리가 직접적인 반사이익을 보게 된 것임

• 둘째, 중국의 초미세 공정 진입 제약을 도리어 성숙 공정(Mature Node)의 원가 절감 기술로 돌파하는 실용 노선이 주효하게 작용

• 미 전방위적 제재로 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 제한된 중국은 2나노급 등 미세공정에 집착하기보다 시장 수요의 80%가 발생하는 7나노미터급 이상의 성숙 공정 효율 향상에 집중

• 실제로 창신메모리의 파트너사이자 중국 메모리 유통 대기업인 파워브(Powev)의 자회사 싱커(Sinker)는 최근 서버용 DDR5 RDIMM 64GB(전송속도 5600MT/s) 대량 양산에 성공하여 현지 데이터센터 고객사들에 납품을 개시하는 등, 글로벌 '빅3'가 장악해 온 고부가가치 서버 메모리 생태계에 균열을 내기 시작했음

• 셋째, 한국산 메모리의 가격 급등세가 역설적으로 가성비를 무기로 한 중국산 메모리의 진입 장벽을 완전히 허물어뜨렸음

• 단가 상승 압력을 이기지 못하는 전 세계 클라우드 및 디바이스 제조사들에 15~20% 저렴한 창신메모리의 DDR5 및 LPDDR5X는 대안이 될 수밖에 없음

• 증권가 분석에 따르면, 창신메모리가 막강한 중국 내수 지지 기반을 넘어 글로벌 서버용 메모리 점유율의 단 5~10%만 대체 점유하더라도 삼성전자와 SK하이닉스의 범용 D램 수익성은 상당한 규모의 감익 압박을 경험하게 됨

• 창신메모리의 공격적 행보 배후에는 해결해야 할 기술적 과제와 생산 능력 대비 공급 효율성 왜곡 문제도 상존하고 있어 다층적인 경쟁 양상을 띰

• 창신메모리는 대내외 선전물에서 최대 동작 속도 8,000 Mbps급 DDR5 및 10.7Gbps급 LPDDR5X 개발을 완료하고 수율을 80%대까지 확보해 SK하이닉스의 80~90% 수준에 근접했다고 주장

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• 하지만 실제 공정 하부 구조를 해부하면, 창신메모리는 여전히 28나노급 노드 이상에 구속되어 있어 공정 미세화가 극히 불량

• 초미세 노공 기술의 부재로 인해 다이(Die)의 표면적이 불필요하게 커져 전력 누출이 심화되고, 고온인 60℃ 이상의 임계 환경에 노출되면 쓰기 오류 등 치명적인 신뢰성 저하가 발각되는 실정

• 더욱이 글로벌 캐파 시장에서 설비 생산 능력이 13%에 달함에도 실 공급 비트 수가 6%, 매출액 기준 점유율이 4%에 그치는 병목 현상은 이들의 단위 수율과 미세화 비트 집적도가 업계 표준에 비해 현저히 비효율적임을 뒷받침

• 그러나 기술적 단점에도 불구하고 창신메모리는 화웨이의 차세대 AI 가속기를 타깃으로 자사 16나노(G4) 공정 코어 다이와 SMIC의 28나노 베이스 다이를 결합하고 캠브리콘 등 자국 팹리스와의 설계 융합을 추진하는 방식으로 HBM3 양산을 정면 돌파하고 있음

• 비록 자체 양산 수율이 10~20% 수준에 지나지 않아 상업적 실효성이 전무해 보임에도, 중국 정부의 직접적 보조금 융단폭격에 힘입어 무차별적인 기술 자립 추격을 가하고 있다는 점이 삼전닉스의 잠재적 불안 요인

• 스마트폰과 PC, 글로벌 빅테크 데이터센터의 D램 수요 급증으로 인해 선두 3사의 공급량이 수요의 60% 수준에 묶이는 단기 공급 부족 양상은 2027년 말까지 지속될 수 있음

• 이러한 가파른 수급 부족 연장선에서 극단적인 낙관주의적 전망은 삼성전자의 2027년 영업이익이 432조 원, SK하이닉스의 2026년 영업이익이 281조 원에 육박하는 유례없는 호실적을 달성할 것이라는 예측을 제시하기도 했음

• 그러나 이러한 장밋빛 수치 전망은 2027년 하반기에 정밀 타격을 가할 중국발 대단위 공급 과잉과 고금리 국면에 따른 투자 긴축 우려를 희석한 한계가 존재

• 경계현 전 삼성전자 사장은 국내 오피니언 리더들이 참석한 공학한림원 포럼에서 이르면 2027년 하반기, 늦어도 2028년 상반기부터 글로벌 메모리 가격이 침하 사이클로 진입할 위험이 상당하다고 경고

• 하락 사이클의 도래를 예단하게 한 핵심 진원지가 바로 중국의 통제 불가능한 캐파 증설 계획

• 창신메모리는 2026년에만 약 50억~60억 달러의 예산을 장비 발주에 쏟아부으며 월 5만~6만 장 규모의 추가 웨이퍼 슬롯을 확장하고 있으며, 양쯔메모리(YMTC) 역시 2공장(Fab 2) 배관 공사를 완수하며 대형 웨이퍼 증설 라인 가동을 2027년에 연쇄 조율 중

• 신규 증설된 중국산 대규모 범용 웨이퍼 캐파가 실제 시장에 비트 물량으로 집중 방출되는 시점이 바로 2027년 하반기로 수렴

• 만약 미국 아마존, 마이크로소프트 등 초대형 퍼블릭 클라우드 기업들이 AI 인프라 자본 지출 대비 이익 회수율(ROI) 둔화를 겪고 투자 집행을 보수적으로 돌아서게 된다면 상황은 최악으로 전환

• HBM으로 일시 전용되었던 선두 3사의 범용 생산 슬롯이 본래의 일반 D램 라인으로 일제히 환원되는 시점에 창신메모리의 대규모 신규 물량이 글로벌 채널에 동시 쏟아지기 때문

• 이는 범용 D램 시장의 순식간에 급격한 오버서플라이(Oversupply)를 초래할 것

• 더욱이 단기 공급 쇼크 유도 인자인 삼성전자 노동조합의 대대적인 파업 가능성 등은 단기 스팟 가격을 왜곡 상승시켜 고객사들의 사전 패닉 바잉(Panic Buying)을 조장할 뿐

• 이는 단기 수요를 억지로 앞으로 당겨씀으로써 2027년 하반기에 맞닥뜨릴 수요 절벽과 판가 붕괴를 한층 가속하는 부작용을 낳음

• 결과적으로 2027년은 삼전닉스의 수익 구조가 최고점 대비 급전직하하며 범용 부문 영업이익률의 치명적인 하락을 목도하게 되는 역사적 분수령이 될 가능성이 농후

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<시사점>

중국 창신메모리(CXMT)의 질주는 더 이상 ‘먼 나라 이야기’가 아닌 것 같습니다. 오늘 서울경제신문이 지적했듯이, 올해 1분기 매출이 전년 대비 700% 넘게 폭증한 중국 D램 업체의 약진은 단순한 추격이 아니라 한국 메모리 산업을 정조준한 경고음이라 하겠습니다. 삼성전자와 SK하이닉스가 AI 시대의 총아인 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 사상 최대 실적 기대감에 들떠 있는 사이, 중국은 범용 D램이라는 전장을 조용히 잠식하고 있었습니다.

지금 시장에는 과도한 낙관론이 퍼져 있습니다. 일부에서는 2027~2028년 삼성전자와 SK하이닉스가 유례없는 영업이익을 기록할 것이라는 장밋빛 전망을 경쟁적으로 내놓고 있습니다. 그러나 이 전망에는 치명적인 맹점이 있는데, 바로 중국 창신메모리의 대규모 공급 확대와 범용 메모리 시장 재편 가능성을 충분히 반영하지 않았다는 점입니다.

창신메모리는 이미 단순한 후발주자로 볼 수가 없습니다. 중국 정부의 전폭적 지원 아래 공격적인 설비 투자와 저가 공세를 결합하며 글로벌 D램 시장 4위권까지 치고 올라왔습니다. 더욱 심각한 것은 전략의 방향인데, 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM과 최첨단 AI 메모리에 집중하는 사이, 중국 창신메모리는 DDR5와 LPDDR5X 같은 범용 시장을 집중 공략하고 있습니다. 이는 단순한 저가 경쟁이 아니라, AI 열풍 속 공급 부족으로 가격이 급등한 범용 메모리 시장의 빈틈을 정확히 파고들고 있습니다.

한국 업체들의 ‘HBM 쏠림’은 의도치 않게 중국에 황금 기회를 제공했습니다. 글로벌 메모리 업체들이 생산라인을 HBM 중심으로 재편하면서 일반 D램 공급은 급감했고, 범용 메모리 가격은 급등했습니다. 가격 부담을 느낀 글로벌 서버·클라우드 업체들은 자연스럽게 15~20% 저렴한 중국산 DDR5를 대안으로 검토하기 시작했습니다. 품질이 다소 떨어져도 가격 경쟁력이 모든 것을 압도하는 순간이 오고 있는 것입니다.

물론 창신메모리의 기술 수준은 아직 삼성전자·SK하이닉스와 큰 격차가 있습니다. 미세공정 한계, 전력 효율 저하, 고온 안정성 문제, 낮은 수율은 여전히 약점입니다. 하지만 시장은 언제나 ‘최고 기술’만으로 움직이지 않습니다. 충분히 쓸 만한 제품을 더 싸게 공급하는 기업이 업황 하락기에는 시장 질서를 뒤흔듭니다. 중국이 지금 노리는 것도 바로 그 지점입니다.

더 우려스러운 대목은 시점입니다. 2027년 하반기부터 중국의 대규모 신규 웨이퍼 캐파가 본격 시장에 풀릴 가능성이 높습니다. 창신메모리는 올해만 수조 원 규모 장비 발주를 진행 중이며, 양쯔메모리(YMTC) 등 중국 메모리 기업들도 증설에 속도를 내고 있습니다. 여기에 AI 투자 열기가 둔화되면서 글로벌 빅테크 기업들의 데이터센터 투자까지 주춤해진다면 상황은 급변할 수 있습니다.

HBM에 몰렸던 한국 업체들의 생산라인이 다시 범용 D램으로 회귀하는 순간, 중국발 신규 물량이 한꺼번에 시장에 쏟아질 가능성이 있습니다. 이는 메모리 산업 특유의 ‘공급 과잉→가격 폭락→수익성 붕괴’ 사이클을 과거보다 훨씬 빠르고 강하게 촉발할 수 있습니다. 지금의 초호황이 2027년 이후 급격한 다운사이클의 전조일 수 있다는 의미입니다.

문제는 우리 내부의 안일함입니다. 성과급 논란, 노사 갈등, 단기 실적 경쟁에 매몰된 사이 강력한 경쟁자가 등장하고 있습니다. 메모리 산업은 언제나 업황의 파도 위에 있었다고 하겠지만 이번에는 상대가 다릅니다. 중국은 시장 논리만으로 움직이지 않으며, 막대한 보조금과 국가 전략을 동원해 적자를 감수하면서도 공급 확대를 밀어붙일 수 있습니다. 이는 과거 일본·대만 업체들과의 경쟁과는 차원이 다른 위협입니다.

따라서 삼성전자와 SK하이닉스는 범용 D램 의존 구조를 더욱 빠르게 축소하고 중국이 쉽게 따라올 수 없는 초격차 영역으로 이동해야 합니다. HBM4, 차세대 LPDDR6, 온디바이스 AI 메모리, 고성능 패키징 기술 등에서 독점적 경쟁력을 구축하지 못한다면 저가 공세를 막아낼 방법이 없습니다. 동시에 시스템 반도체·AI 인프라·소프트웨어 생태계까지 포함한 종합 반도체 전략도 절실합니다.

메모리 산업의 진짜 위기는 불황 자체가 아닙니다. 호황 속에서 위기를 잊는 순간이야 말로 진짜 위기입니다. 창신메모리의 추격은 아직 완성되지 않았으며, 한국 반도체 산업이 지금처럼 ‘사상 최대 실적’이라는 달콤한 숫자에만 취해 있다면, 2027년은 초호황의 정점이 아닌 추락의 출발점으로 기록될 수 있습니다.

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https://n.news.naver.com/article/newspaper/011/0004622463?date=20260520